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ATP veröffentlicht DDR4-2666 DRAMs für die neuesten Intel® Xeon® Scalable und 8th Gen Intel® Core ™ Prozessoren

2017-12-21Back

Niedrige Spannung mit 1,2V gepaart mit hoher Kapazität und Geschwindigkeit steigert Ihre Systemleistung und Effizienz

ATP Electronics, führender Anbieter hochleistungsstarker, hochwertiger und zuverlässiger NAND-Flash- und DRAM-Speichermodule bietet nun erstmals DDR4 DRAM Module mit 2666MHZ und Low Voltage für Intel® Xeon® Platinum, Gold, Silber 

und Bronze Scalable Prozessoren und für die 8te-Generation Intel® Core™ i7/i5/i3 Prozessoren an. Die neuesten DDR4-Lösungen von ATP eignen sich ideal für High-Performance-Computing-Anwendungen (HPC) welche Fokus auf hohe Transfergeschwindigkeiten in Kombination mit niedrigem Stromverbrauch legen. Dazu gehören unter anderem Telekommunikation, Netzwerkspeichersysteme, Mikro- und Cloud Server und embedded Systeme

Das 1,2V Low Power Design optimiert Energiekosten durch geringere Wärmeentwicklung bei minimalen Stromverbrauch. Die neuesten Intel® Xeon® Scalable-Prozessoren bieten native Unterstützung für sechs Speicherkanäle, die auch bei Volllast mit gleichbleibender Geschwindigkeit arbeiten können. ATP's DDR4 DRAM Module sorgen mit ihrer schnellen Datenrate von 2666 MHZ für eine enorme Steigerung von Leistung und Produktivität. Die erhöhte Arbeitsgeschwindigkeit von 2400MHZ auf 2666MHZ erhöht die mögliche Spitzenleistung um 15%.

Durch die Verwendung eines 8-Gbit IC-Designs ermöglichen die Module eine kosteneffektive Skalierbarkeit und Erweiterung der Speicherkapazität um mit zukünftigen Anforderungen Schritt zu halten. Jedes Modul wird dabei strengen Tests unterzogen, um Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer sicherzustellen.

ATPs unbuffered DDR4 2666MHZ DRAMs sind als SoDimm, UDIMM, ECC UDIMM, ECC SODIMM, und als ECC mini-DIMM verfügbar. Desweiteren sind für den Serverbereich auch Registered Dimms (RDIMMS) erhältlich.

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