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Produkte

micro SD/micro SDHC

micro SD/micro SDHC

Hauptmerkmale
  • SLC (Single-Level-Cell) NAND flash
    SLC mode NAND flash
    MLC (Multi-Level Cell / 2-bit per Cell) NAND Flash
  • Erweiterter Wear-Leveling-Algorithmus
  • Bad Block Management
  • Read Disturb Protector - AutoRefresh zur Gewährleistung der Datenintegrität während des Lesens
  • Wasserdicht/staubdicht gemäß IP57/IP67 (IEC 60529)
  • Life-Time-Monitoring Tool zur Prüfung der Betriebslebenszeit (Windows / Linux)
  • Hochzuverlässig, besteht Umwelttests (Biegen/Drehmoment/gesprühte Salzlösung/Sonnenbestrahlung)
  • Unempfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung

ATPs industrielle microSD/microSDHC-Karten wurden für anspruchsvolle Applikationen wie Navigationssysteme, Fahrzeugrekorder, Handheld-Geräte und Systeme entwickelt, die zuverlässige Wechselspeichergeräte in kleinen Formfaktoren benötigen.

Durch ATPs SIP- (System-In-Package) Herstellungsverfahren können die microSD-Karten Betriebstemperaturen von bis zu -40 ° bis +85 ° Celsius standhalten. Sämtliche ATP-Industrial-Grade-Produkte durchlaufen umfassende Burn-in-Tests zum Schutz vor möglichen frühzeitigen Ausfällen, die gelegentlich in jeder Halbleitertechnologie auftreten können. Darüber hinaus verfügen sie über einen Read Disturb Protector (AutoRefresh-Technologie), der gleichzeitig die Datenintegrität gewährleistet.

ATPs microSD-Karten wurden von führenden Herstellen von Handheld-Systemen wie Motorola und Honeywell geprüft und zugelassen. 

Produktname microSD / microSDHC / microSDXC 
Flash-Type SLC SLC mode  iTemp SLC mode MLC iTemp MLC
Kapazität 512 MB bis 8 GB 4GB bis 32 GB 4 GB bis 16 GB 8 GB bis 128 GB 8GB bis 32 GB
Leistung Sequenzielles Lesen bis 82 MB/s Sequenzielles Lesen bis 96 MB/s Sequenzielles Lesen bis 88 MB/s Sequenzielles Lesen bis 96 MB/s Sequenzielles Lesen bis 79 MB/s

Sequenzielles Schreiben bis

39 MB/s

Sequenzielles Schreiben bis

86 MB/s

Sequenzielles Schreiben bis 79.2 MB/s Sequenzielles Schreiben bis 80.6 MB/s Sequenzielles Schreiben bis 74.9 MB/s
Schnittstelle

High Speed Mode

Class 6 (512MB~8GB)

Ultra High Speed Mode 

UHS-I, U1

( 4GB to 8GB )

Ultra High Speed Mode
UHS-I , U3

Ultra High Speed Mode

UHS-I, U1 (8GB to 16GB)
UHS-I, U3 (32GB to 64GB)

Betrieb -40 °C bis 85 °C -25°C bis 85°C ; -40°C bis 85°C

Storage 

Temp. 

-55°C bis 90°C
Zuverlässigkeit Erweitertes statisches / dynamisches Wear-Leveling

TBW* (max.): 192 TB

TBW* (max.): 256 TB

TBW* (max.):

153 TB

TBW* (max.): 38.4 TB
MTBF bei 25 °C: > 5,000,000 Stunden MTBF bei 25 °C: > 3,000,000 Stunden MTBF bei 25 °C: > 2,000,000 Stunden
Anzahl Einschübe: Mindestens 10.000
Abmessungen: L x B x H (mm) 15,0 x 11,0 x 1,0

*Alle gelisteten TBW-Werte basieren auf maximalem  Sequenziell Write Zugriff. Die TBW-Daten können je nach Kapazität, Konfiguration und Einsatzbereich variieren.

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