DDR3

特点介绍

  • 容量:1GB ~ 32GB
  • 支持Chipkill
  • 命令、地址、控制信号采用Fly-by走线架构,on-DIMM终端匹配设计
  • 高带宽:最高达1866MT/s
  • 低功耗:正常1.5V,低电压1.35V

描述

可工作在1.5V(正常)和1.35V(低电压),传输速度高达1866 MT/s, ATP DDR3内存模块可提供更好的性能,同时功耗明显低于DDR2内存。

ATP DDR3内存模块支持英特尔® Core™ i7系列处理器,AMD AM3 Phenom™处理器,以及AMD最新的嵌入式企业级芯片组。DDR3内存模块与前一代内存模块不兼容,连接器上对齐缺口的设计可防止它们插入不兼容的插槽。

ATP提供各种外形的DDR3 内存模块,包括SO-DIMM、Mini-DIMM、窄板型(LP)、VLP(Very Low Profile)和ULP(Ultra Low Profile)外形。

除了标准产品外,ATP的DDR3产品线还提供额外的可靠性选项,如防尘、防化学物质、抗极端温度和腐蚀的保形涂层;大于30µ”厚度的金手指镀金层,已确保更好的耐用性和信号传输质量。

规格

DDR3
CategoryLRDIMMRDIMMUDIMMUDIMM ECC SO-RDIMMSO-DIMMSO-DIMM ECC Mini-RDIMMMini-UDIMM ECC
Data Rate Speed (MT/s)1600 / 1333 / 10661866 / 1600 / 1333 / 10661866 / 1600 / 1333 / 10661866 / 1600 / 1333 / 10661600 / 1333 / 10661866 / 1600 / 1333 / 10661866 / 1600 / 1333 / 10661600 / 1333 / 10661600 / 1333 / 1066
PCB Height• Low profile• Low profile • VLP options: 0.74" height • ULP options: below 0.74” height• Low profile • VLP options: 0.74" height• Low profile • VLP options: 0.74" height• Low profile• Low profile• Low profile• Low profile • VLP options: 0.74" height • ULP options: below 0.74” height• Low profile • VLP options: 0.74" height • ULP options: below 0.74” height
Density32 GB1 GB / 2 GB / 4 GB / 8 GB / 16 GB / 32GB1 GB / 2 GB / 4 GB / 8 GB / 16 GB1 GB / 2 GB /4 GB / 8 GB / 16 GB2 GB / 4 GB / 8 GB 1 GB / 2 GB / 4 GB / 8 GB / 16 GB1 GB / 2GB / 4 GB / 8 GB / 16 GB2 G / 4 GB / 8 GB / 16 GB2 GB / 4 GB / 8 GB / 16 GB
Voltage1.35V / 1.5V1.35V / 1.5V1.35V / 1.5V1.35V / 1.5V1.35V / 1.5V1.35V / 1.5V1.35V / 1.5V1.35V / 1.5V1.35V / 1.5V
Working Temperature0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C
Golden Finger30µ30µ30µ30µ30µ30µ30µ30µ30µ

下载中心

  • ATP_DDR3_flyer
    English
    2019-06-241.91MB
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