DDR3

特点介绍

  • 容量:1GB ~ 16GB
  • 支持Chipkill
  • 命令、地址、控制信号采用Fly-by走线架构,on-DIMM终端匹配设计
  • 高带宽:最高达1866MT/s
  • 低功耗:正常1.5V,低电压1.35V

描述

可工作在1.5V(正常)和1.35V(低电压),传输速度高达1866 MT/s, ATP DDR3内存模块可提供更好的性能,同时功耗明显低于DDR2内存。

ATP DDR3内存模块支持英特尔® Core™ i7系列处理器,AMD AM3 Phenom™处理器,以及AMD最新的嵌入式企业级芯片组。DDR3内存模块与前一代内存模块不兼容,连接器上对齐缺口的设计可防止它们插入不兼容的插槽。

ATP提供各种外形的DDR3 内存模块,包括SO-DIMM、Mini-DIMM、窄板型(LP)、VLP(Very Low Profile)和ULP(Ultra Low Profile)外形。

除了标准产品外,ATP的DDR3产品线还提供额外的可靠性选项,如防尘、防化学物质、抗极端温度和腐蚀的保形涂层;大于30µ”厚度的金手指镀金层,已确保更好的耐用性和信号传输质量。

规格最近更新: 2023-07-10 14:18

DDR3
类别ECC UDIMMNon-ECC UDIMMECC SO-DIMMNon-ECC SO-DIMMMini-UDIMM
存储量1 GB to 16 GB1 GB to 16 GB1 GB to 16 GB1 GB to 16 GB1 GB to 8 GB
速度 (MT/s) 高达18661866186618661600
PCB 高度Low profile / VLP / ULPLow profile / VLPLow profile / ULPLow profileLow profile / VLP / ULP
工作温度0°C to 85°C / -40°C to 85°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C

订购信息

Hot Items Ordering Information
SPEED SIZE CHIP HEIGHT Ranks P/N
Unbuffered Non ECC Module
DDR3-1600
4 GB 512x8 1.18" 1 AQ12P64A8BLK0M
Unbuffered Non ECC Module
DDR3-1600
8 GB 512x8 1.18" 2 AQ24P64B8BLK0M
Unbuffered Non ECC SO-DIMM
DDR3-1600
4 GB 512x8 1.18" 1 AW12P6438BLK0M
Unbuffered Non ECC SO-DIMM
DDR3-1600
8 GB 512x8 1.18" 2 AW24P64F8BLK0M

 

 

下载中心

  • ATP DDR3 product flyer
    English
    2025-03-28378.56KB
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