DDR3 8Gbit component based modules

随着DRAM市场稳步向DDR4内存过渡，一些主要制造商已经宣布基于高密度DDR3 8 Gbit组件的DDR3模块报废（EOL）生产，包括该
组件的EOL声明。但是，网络和嵌入式行业中的大量客户仍无法转移到最新一代产品，并继续使用需要特定DDR3内存的旧系统，
例如VLP RDIMM或高密度SO-DIMM。为了避免可能对这些客户的业务运营产生不利影响的供应短缺，ATP决定为这些模块提供自己
的DDR3 8 Gbit组件。

从IC到模块的ATP内置

ATP自己建造的DDR3模块由经过精心表征和测试的高质量集成电路（IC）组成。这些组件是根据ATP的严格标准使用2x nm制造工
艺技术制造的，并通过广泛的组件测试程序进行了测试，以提高整体内存模块的性能。
ATP DDR3 8 Gbit组件不受行锤效应的影响，从而防止了由泄漏到相邻单元并连续向其写入数据的单元电荷引起的任何灾难性随
机位翻转。在模块级别，ATP在生产流程的预烧（TDBI）期间执行100％测试，以确保高质量的模块。

ATP DDR3 配置

典型的单片DDR3 DRAM芯片的密度为4吉比特（Gb）。为了将8 Gb封装在单片DRAM裸片中，制造商采用了一种称为双裸片封装
（DDP）的裸片堆叠方法，该方法将两个裸存储器裸片合并在一个芯片封装中。每个管芯都有一组独立的控制线，其中每个存
储管芯是可以分别选择的，尽管处理器处于同一封装中，但处理器仍将芯片视为两个组件。
ATP DDR3组件以单片8 Gb单芯片选择（1CS）或DDP两芯片选择（2CS）的形式提供，用于基于该技术的各种存储模块。
借助ATP自己构建的DDR3模块，该公司重申了继续支持旧版内存需求以最大程度地提高客户基础设施投资的承诺。