DDR4

特点介绍

  • 容量:4GB ~128GB
  • 高速传输:最高达3200MT/s
  • 低电压(1.2V)、低功耗
  • 更好的RAS(Reliability,Availability,Serviceability)及更优的信号完整性

描述

ATP第四代DDR工业内存产品采用高达2666MT/s的传输速度及1.2V低电压,与以前时代的DDR技术相比实现了更高速的传输及更低的功耗。

作为从DDR3演进而来的新一代规格,DDR4对线上流量增长的需求提供了足够的带宽支持。

ddr4 - 2666 MT / s是最新一代的高性能导向的DRAM模块,针对最新的英特尔®Xeon®处理器和第八代英特尔®Core™i7/ i5 / i3处理器进行了优化。接口速度从2400 MT/s提高到2666 MT/s,理论峰值性能提高了15%,充分满足了通信基础设施、网络存储系统、网络存储(NAS)服务器、微/云服务器和工业计算机、嵌入式系统等行业关键应用的计算需求。

规格

DDR4
CategoryLRDIMMRDIMMUDIMMUDIMM ECCSO-RDIMMSO-DIMMSO-DIMM ECCMini-RDIMMMini-UDIMMMini-UDIMM ECC
Data Rate Speed (MT/s)2666 / 2400 / 21332666 / 2400 / 21332666 / 2400 / 21332666 / 2400 / 21332400 / 21332666 / 2400 / 21332666 / 2400 / 21332400 / 21332400 / 21332400 / 2133
PCB Height• Low profile• Low profile • VLP options: 0.74" height• Low profile • ULP options: below 0.74” height• Low profile • ULP options: below 0.74” height• Low profile • VLP options: 0.74" height• Low profile• Low profile• Low profile • VLP options: 0.74" height• VLP: 0.74" height• VLP: 0.74" height
Density32 GB / 64 GB / 128GB4 GB / 8 GB / 16 GB / 32 GB / 64 GB / 128 GB2GB / 4 GB / 8 GB / 16 GB4 GB / 8 GB / 16 GB4 GB / 8 GB / 16 GB2 GB / 4 GB / 8 GB / 16 GB4 GB / 8 GB / 16 GB4 GB / 8 GB /16 GB4 GB / 8 GB / 16 GB4 GB / 8 GB / 16 GB
Voltage1.2V1.2V1.2V1.2V1.2V1.2V1.2V1.2V1.2V1.2V
Working Temperature0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C0-85°C / -40-95°C
Golden Finger30µ30µ30µ30µ30µ30µ30µ30µ30µ30µ

下载中心

  • ATP_DDR4_flyer
    English
    2019-06-24631.96KB
联系我们