DDR4

特点介绍

  • 容量:2GB ~256GB
  • 高速传输:最高达3200MT/s
  • 低电压(1.2V)、低功耗
  • 更好的RAS(Reliability,Availability,Serviceability)及更优的信号完整性

描述

ATP第四代DDR工业内存产品采用高达3200MT/s的传输速度及1.2V低电压,与以前时代的DDR技术相比实现了更高速的传输及更低的功耗。

作为从DDR3演进而来的新一代规格,DDR4对线上流量增长的需求提供了足够的带宽支持。

DDR4 - 3200 MT / s是最新一代的高性能导向的DRAM模块,针对最新的英特尔®Xeon®处理器和第八代英特尔®Core™i7/ i5 / i3处理器进行了优化。接口速度从2400 MT/s提高到3200 MT/s,理论峰值性能提高了15%,充分满足了通信基础设施、网络存储系统、网络存储(NAS)服务器、微/云服务器和工业计算机、嵌入式系统等行业关键应用的计算需求。

规格最近更新: 2023-07-10 14:15

DDR4
类别RDIMMECC UDIMMNon-ECC UDIMMECC SO-DIMMNon-ECC SO-DIMMMini-RDIMMMini-UDIMM
存储量4 GB to 128 GB4 GB to 32 GB2 GB to 32 GB4 GB to 32 GB2 GB to 32 GB4 GB to 16 GB4 GB to 16 GB
速度 (MT/s) 高达3200320032003200320024002400
PCB 高度Low profile / VLP / ULPLow profile / VLP / ULPLow profile / VLP / ULPLow profileLow profileLow profile / VLPVLP
工作温度0°C to 85°C / -40°C to 95°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C0°C to 85°C / -40°C to 85°C

订购信息

Hot Items Ordering Information
SPEED SIZE CHIP HEIGHT Ranks P/N
Unb/Non ECC
SO-DIMM
DDR4-3200
4 GB 512x16 1.18" 1 A4G04QC6BNWEMO
8 GB 1Gx16 1.18" 1 A4G08QC6BVWEMO
16 GB 2GX8 1.18" 1 A4G16QA8BVWEMO
32 GB 2GX8 1.18" 2 A4G32QE8BVWEMO
Unb/Non ECC
SO-DIMM
DDR4-2666
4 GB 512x16 1.18" 1 A4G04QC6BNTDMO
8 GB 1Gx16 1.18" 1 A4G08QC6BVTDMO
16 GB 2GX8 1.18" 1 A4G16QA8BVTDMO
32 GB 2GX8 1.18" 2 A4G32QE8BVTDMO

 

下载中心

  • ATP DDR4 product flyer
    English
    2025-03-28428.71KB
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