DDR3 8GBit Module

ATP发布全新的DDR3 8Gbit DRAM IC颗粒和相应内存模组以避免DDR3内存供应短缺

承诺保证对DDR3和其他传统产品的长期持续供应

随着DRAM市场应用向DDR4内存迁移,几家主要的厂商已经发布DDR3 8Gbit IC颗粒的停产通知(EOL),同时也发布了基于8Gbit 颗粒的DDR3内存模组的EOL通知。 “对我们的客户而言, DDR3内存供应短缺可能对他们的业务运营产生负面影响,ATP致力于避免这种情况的发生。”ATP全球营销副总裁Marco Mezger表示。“为了继续支持客户对特定DDR3内存的需求,比如在现在和可预见的未来的高容量VLP RDIMM或高容量SO-DIMM的需求,ATP决定为生产这些模组提供自己的DDR3 8Gbit IC颗粒。”

ATP - 从IC芯片到内存模组的设计,特性化和测试

ATP自主制造的DDR3内存模组由经过精心设计和测试的高质量IC颗粒组成。ATP根据严格的标准采用2x nm工艺技术的半导体晶元制造这些器件,并通过大量的元器件测试程序进行测试,以提高整体存储模组的性能。

ATP DDR3 8 Gbit IC颗粒可以规避Row Hammer漏洞,从而防止由于存储器单元泄漏电荷到相邻单元并连续向其发送数据而导致的灾难性随机位翻转错误。在内存模组级别,ATP通过特有的TDBI(Test During Burn-in)测试对生产流程执行100%测试,以保证模组的高质量。

可供应的DDR3产品配置

 

ATP DDR3 8Gbit IC颗粒有单晶元封装(SDP)单片选(1CS)和双晶元封装(DDP)双片选(2CS)两种,适用于各种内存模组。其中采用1CS颗粒的DIMM,SO-DIMM和Mini-DIMM模组可以有16 GB容量和1600 MT / s传输速度。采用2CS颗粒的RDIMM方面,ATP可以提供16至32 GB容量以及1333或1600 MT / s传输速度;采用2CS颗粒 的Mini-DIMM容量为8 GB,传输速度为1600 MT / s。同时各种尺寸外形的内存模组均有ECC和non-ECC的规格可选用。

凭借ATP自主制造的DDR3内存模组,该公司重申其承诺,将会继续支持传统内存的需求,以最大化客户的基础设施投资。

对其他传统DRAM内存模组的长期支持

对于尚未升级到新一代平台的客户的传统内存需求, ATP承诺会全力支持。

在2018年9月,ATP与Micron签署了一项合作协议,以确保在Micron宣布DDR2 SO-DIMM,UDIMM和RDIMM内存模组产品停产后的供货支持。根据协议,ATP将向仍在旧款平台上使用DDR2内存产品的客户稳定供应DDR2系列产品。

在2015年8月签署的另一项合作协议中,ATP被授权为无法进行产品变更的Micron客户制造SDR / DDR DRAM模组。2016年,该协议进行了扩充,包括了为使用AMD嵌入式/ Geode平台的客户提供的传统DRAM模组。

ATP为DDR3内存模块提供8Gbit DDR3 IC颗粒的最新承诺加强了ATP提供多代DRAM解决方案的能力,可以缓解嵌入式和工业系统中的旧时代产品停产问题。

特色应用

工业计算机/嵌入式计算机

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Industrial / Embedded PC

网络/通信

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Networking / Telecom
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