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技術
技術類型選擇
Reliability (Drive-Level)
Data Integrity (NAND-level)
Data Security
Customization & Services
產品篩選
快閃記憶體產品技術
記憶體-附加價值
DRAM 附加價值與服務概覽
寬溫模組
這些模組使用獨特的ATP測試和技術，以較低的價格點支援工業溫度操作範圍從-40°C到85°C，儘管如此，它們的價格比原廠工業級IC的模組更低。
加厚金手指
DRAM 接觸點採用30µ"厚的金鍍層，優化連接器和DRAM模組之間的信號傳輸品質。
抗硫化電阻
ATP 的 DRAM 模組和 NAND 快閃存儲產品提供了一種抗硫電阻選項，以防止硫污染帶來的腐蝕效應，確保長期持續可靠的性能。
燒入測試
測試期間燒入（TDBI）是將ATP DRAM模組在特定時間內暴露於不同溫度、電源循環、電壓和其他壓力條件下。其目的是使弱勢IC失效，以便將其篩選出來，確保模組只包含最堅固的IC。
敷形塗層技術
透過化學化合物 Parylene 的塗層，保護電子電路免受塵埃、化學污染物、極端溫度、潮濕和腐蝕的侵害。
倒角 PCB 設計
倒角是指將連接器邊緣進行「斜角或錐度」處理，以便更容易插入記憶插槽的過程。斜角通常以特定角度進行，一般在40°至50°左右。
完整硬碟模組測試
對於 NAND 快閃存儲產品，我們對整個驅動器進行全面測試，包括固韌體、使用者區域和備用區域，以確保沒有壞塊存在。DRAM 產品也經過全面測試，包括 PHY 和控制器，包括元數據/映射和資料快取區域。