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技術
技術類型選擇
Reliability (Drive-Level)
Data Integrity (NAND-level)
Data Security
Customization & Services
產品篩選
快閃記憶體產品技術
使用壽命監控
提供一個使用者友善的介面，用於監控快閃記憶體產品的健康狀態和壽命預期。
*相容性和支援可能因平台或作業系統而有所不同。
系統級封裝
採用封裝所有外露元件的製造過程，以提供保護和屏蔽。
防震型球柵陣列封裝
焊接固定的解決方案能夠承受激烈的震動，並具有抗振能力，確保在嚴苛操作中始終保持可靠的性能。
記憶體-附加價值
DRAM 附加價值與服務概覽
寬溫模組
這些模組使用獨特的ATP測試和技術，以較低的價格點支援工業溫度操作範圍從-40°C到85°C，儘管如此，它們的價格比原廠工業級IC的模組更低。
加厚金手指
DRAM 接觸點採用30µ"厚的金鍍層，優化連接器和DRAM模組之間的信號傳輸品質。
抗硫化電阻
ATP 的 DRAM 模組和 NAND 快閃存儲產品提供了一種抗硫電阻選項，以防止硫污染帶來的腐蝕效應，確保長期持續可靠的性能。
燒入測試
測試期間燒入（TDBI）是將ATP DRAM模組在特定時間內暴露於不同溫度、電源循環、電壓和其他壓力條件下。其目的是使弱勢IC失效，以便將其篩選出來，確保模組只包含最堅固的IC。
敷形塗層技術
透過化學化合物 Parylene 的塗層，保護電子電路免受塵埃、化學污染物、極端溫度、潮濕和腐蝕的侵害。
倒角 PCB 設計
倒角是指將連接器邊緣進行「斜角或錐度」處理，以便更容易插入記憶插槽的過程。斜角通常以特定角度進行，一般在40°至50°左右。
完整硬碟模組測試
對於 NAND 快閃存儲產品，我們對整個驅動器進行全面測試，包括固韌體、使用者區域和備用區域，以確保沒有壞塊存在。DRAM 產品也經過全面測試，包括 PHY 和控制器，包括元數據/映射和資料快取區域。
SPD Write Protect
Ensures optimal performance and compatibility by protecting the memory module’s Serial Presence Detect (SPD) from being altered. SPD contains configuration information such as speed, size, timing, and voltage parameters. SPD Write Protect maintains the integrity and reliability of the module and guarantees that it operates according to ATP’s tested and validated specifications.