undefined

提供用户友好的界面，用于监视闪存产品的健康状态和预期寿命。

封装所有裸露组件以提供保护和屏蔽的制造过程。

ATP e.MMC采用153球细间距球栅阵列（FBGA）封装，并直接焊接到印刷电路板上，即使在艰苦的操作过程中，也能抗振动，从而获得可靠的性能。

在-40°C至85°C的极端温度下的操作稳定性。

DRAM触点的30μ“厚金镀层优化了连接器和DRAM模块之间的信号传输质量。

ATP DRAM模块和NAND闪存产品提供了抗硫电阻器选件，以防止硫污染的腐蚀作用，从而保证长期持续可靠的性能。

组件要在密闭室内经受低温和高温操作，以检测由于早期故障（ELF）期间的高故障率而导致的故障。

用聚对二甲苯化合物涂层保护电子电路，以抵抗灰尘，化学污染物，极端温度，潮湿和腐蚀。

倒角是指为方便插入内存插槽而对连接器边缘进行“倒角或锥形”的过程。倒角以特定角度进行，通常为40°至50°左右。

对于NAND闪存产品，整个驱动器（包括固件、用户和备用区域）都经过了彻底测试，以确保没有坏块。DRAM产品还经历了完整的测试，包括物理层和控制器，包括元/映射和数据缓存区域。

Ensures optimal performance and compatibility by protecting the memory module’s Serial Presence Detect (SPD) from being altered. SPD contains configuration information such as speed, size, timing, and voltage parameters. SPD Write Protect maintains the integrity and reliability of the module and guarantees that it operates according to ATP’s tested and validated specifications.