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技術
フラッシュ製品技術
* Customization option available on a project basis.
技術 | 説明 |
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![]() | フラッシュ製品の健康状態、予測寿命をモニターするため の使い勝手の良いインターフェースSWツールを提供します。 * 互換性/サポートはプラットフォームまたはOSによって異なりま |
![]() | ファームウェアベースの電断保護は、電源が失われる前にデバイスに書き込まれたデータを効果的に保護します。ライト操作が正常に完了したという信号をデバイスからホストが受信した後、突然の電源喪失が発生した場合でも、新しく書き込まれたデータと以前に書き込まれたデータは保護されます。 |
![]() | 動作時のエラービット・レベルをモニターします。ブロック内のエラービットが予め設定された閾値に到達・超過する前に、オートリフレッシュにより、データをヘルシーなブロックに移動させます。これにより、コントローラーが 非常に多くのエラービットを読んでしまう状況、読み込み不能な状 態、データ破損の発生を回避させます。 |
![]() | ブロックに均一にリード・ライトをできるように管理し、フラッシュ製品の製品寿命を最適化します。 |
![]() | リード・ライト・オペレーションに影響を与えることなく、バックグランドでユーザー領域の記録を順番にスキャンすることにより、使用頻度の低い領域でのリード障害の危険性を減らし、データの完全な保全を保証します。完全に別のブロックへ移動されたデータは、元のデータと同一かを確認するために、読み込まれた上で、元のデータと比較されます。 |
![]() | データがホストからストレージデバイスコントロー ラーに、またはその逆に移動するときのエラー・チェック と修正を保証します。 データパス全体をカバーすることにより、エンド・ トゥー・エンド・データの保護によりデータ転送中の任意の時点で整合性が保証されます。 |
![]() | P/Eサイクル(消去回数)が増大すると、メモリセルが劣化し電圧シフトが発生します。これにより、リードしきい値が固定されている場合には、ビットエラーレート(BER)が上昇します。 オートリードキャリブレーション(ARC)機能は、リードしきい値を調整することによりBERを低減し信頼性を高めます。ARCは TLC LDPCコントローラーにてサポートされています。 |
![]() | SSDやメモリカードが再利用されたり、廃棄される場合に、機密データが復元されたり検索されることが無いように削除するためのソリューションです。機密データの残存が全く無 くなっ ている事を確認することができるので、セキュア消去 の機能は、高度なセキュリティ・レベルを必要とする官公 庁、防衛、ビジ ネスの用途での使用に適しています。 |
![]() | -40℃から+85℃までの高低温度環境での安定動作 |
![]() | 全ての部品を露出させず、外部から保護・遮蔽するための製造プロセスです。 |
![]() | はんだ付けされたソリューションは、振動に強く、過酷な環境での動作中でも信頼の高いパフォーマンスを出すことができます。 |
![]() | NANDフラッシュ・ストレージ製品については、ファームウェア、ユーザー領域、予備領域を含むドライブ全体を完全にテストすることにより、バッド・ブロックが無いことを確認します。DRAM製品も、メタマッピング及びキャッシュエリアを含む、物理レイヤとコントローラーを完全にテストします。 |
![]() | ATPは、量産テストでは検出困難なエラーを未然に防ぐために、お客様から提供頂いたホストデバイス及びシステムを使った互換性・機能テストを評価段階で実施し、品質向上に役立てています。 |
DRAM - 付加価値
* Customization option available on a project basis.
技術 | 説明 |
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![]() | これらのモジュールは、ATP独自の技術/テストによって、-40℃~85℃の産業機器用温度動作範囲のサポートを可能にしており、産業用グレードICを備えたモジュールよりも低価格を実現しています。 |
![]() | ATPのDRAMモジュールとNANDフラッシュ・ストレージ製品 は、硫黄等の腐食ガス環境下でも長期的に安定動作を実現するための耐硫化対策レジスタの実装オプションを準備しております。 |
![]() | 防塵、化学汚染物質からの影響、高低温、湿度、浸食を防ぐため、化学コンパウンドのパリレン(Parylene)を使ったコーティングで電子回路を保護しています。 |
![]() | 面取りは、メモリースロットに簡単に挿入できるようにするための、べべリングやテーパリングといった、コーナーエッジの加工プロセスを指します。斜角は特定な角度で行われ、通常約40°~50°です。 |
![]() | DRAMモジュールではコネクター間の信号伝送品質を最適化するために30µ厚の金メッキを使用しています。 |
![]() | NANDフラッシュ・ストレージ製品については、ファームウェア、ユーザー領域、予備領域を含むドライブ全体を完全にテストすることにより、バッド・ブロックが無いことを確認します。DRAM製品も、メタマッピング及びキャッシュエリアを含む、物理レイヤとコントローラーを完全にテストします。 |
![]() | TDBIは、DRAMモジュールを様々な温度、パワーサイクル、電圧、その他のストレス条件下で一定期間経過させるテストです。その目的は、弱いICをスクリーニングすることであり、信頼性の高いICのみモジュールに使われていることを確認します。 |