これらのモジュールは、ATP独自の技術/テストによって、-40℃～85℃の産業機器用温度動作範囲のサポートを可能にしており、産業用グレードICを備えたモジュールよりも低価格を実現しています。

ATPのDRAMモジュールとNANDフラッシュ・ストレージ製品 は、硫黄等の腐食ガス環境下でも長期的に安定動作を実現するための耐硫化対策レジスタの実装オプションを準備しております。

防塵、化学汚染物質からの影響、高低温、湿度、浸食を防ぐため、化学コンパウンドのパリレン（Parylene）を使ったコーティングで電子回路を保護しています。

Read more

面取りは、メモリースロットに簡単に挿入できるようにするための、べべリングやテーパリングといった、コーナーエッジの加工プロセスを指します。斜角は特定な角度で行われ、通常約40°～50°です。

DRAMモジュールではコネクター間の信号伝送品質を最適化するために30µ厚の金メッキを使用しています。

NANDフラッシュ・ストレージ製品については、ファームウェア、ユーザー領域、予備領域を含むドライブ全体を完全にテストすることにより、バッド・ブロックが無いことを確認します。DRAM製品も、メタマッピング及びキャッシュエリアを含む、物理レイヤとコントローラーを完全にテストします。

TDBIは、DRAMモジュールを様々な温度、パワーサイクル、電圧、その他のストレス条件下で一定期間経過させるテストです。その目的は、弱いICをスクリーニングすることであり、信頼性の高いICのみモジュールに使われていることを確認します。

Read more